氮化镓(GaN)技术已经在影响高性能的射频市场，但MACOM公司认为这只是开始。该公司所处地位独特，致力于向用户提供采用包括GaAs、InP、SiGe、SiPh、GaN和CMOS在内的大多数工艺技术制造的产品。

　　氮化镓本身有两种主要类型，一种是作为很高功率应用理想之选的GaN on SiC，一种是能够增大晶圆直径、批量时驱动成本下降的硅基氮化镓(GaN on Si)，后者能充分利用CMOS提供的传统规模经济效应。MACOM公司希望氮化镓能够涉足所有的射频功能和应用。

　　作为射频和微波应用中的一种宽带隙半导体技术，硅基氮化镓具有高功率密度、高效率和高散热属性，因此正成为主流商业应用的重要选择。硅基氮化镓可以提供8倍的GaAs原始功率密度和4倍的LDMOS原始功率密度，效率范围从中档的40%到70%。

　　氮化镓的市场潜力是非常巨大的，这种工艺技术最终有望主导高性能的射频与微波市场。氮化镓的性能优势包括5倍于现有产品的带宽和2倍于现有产品的效率。

　　另外，氮化镓能够满足所有模拟功能和应用的要求。

　　GaN on Sic和硅基氮化镓的比较

　　事实上在物理层，SiC材料的生成速度要比硅慢200倍到300倍。这样，生产基板的成本将正比于生产时间。基于这个理由，GaN on SiC对主流商业应用来说仍然过于昂贵。不过它比较适用于军事、国防以及要求相对高功率的潜在高端通信领域中的特殊应用。

　　硅基氮化镓在能够降低成本的同时仍能受益于高功率密度和效率。另外，硅基氮化镓能顺应硅的发展路线图——有望最终适应裸片上与之一起存在的大量CMOS。

　　硅基氮化镓技术将受到电源转换应用的驱动，而这类应用所需的产品数量要比射频和微波大好几个量级。

　　MACOM公司总裁John Croteau认为，“确切地说，服务于电源转换市场的单个8英寸硅片工厂在几周时间内就能提供整个射频和微波行业使用一整年的产量。”