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本报19日讯（记者衣春翔）19日，哈尔滨工业大学主办电子元器件辐射效应国际会议，针对电子元件如何“抗辐射”开展交流讨论。
会议邀请美国、德国、欧空局、俄罗斯、意大利、乌克兰及国内著名空间辐射效应专家作特邀报告，并针对电子材料、元器件、电路、传感器及系统等的辐射效应开展广泛的学术讨论。专家还就辐射环境下电子材料、器件及系统的辐射损伤效应和机理、加固工艺、加固设计及评价技术展开交流。
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