NTC热敏电阻：浅谈MOSFET与三极管的ON状态区别
发布时间：2018/1/23 访问人数：2073次
NTC热敏电阻：浅谈MOSFET与三极管的ON状态区别
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢？
三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示（因Rce会变化）。由于饱和状态下Vce较小，所以三极管一般用饱和Vce表示。
MOS管在ON状态时工作于线性区（相当于三极管的饱和区），与三极管相似，电流Ids由Vgs和Vds决定，但MOS管的驱动电压Vgs一般可保持不变，因而Ids可仅受Vds影响，即在Vgs固定的情况下，导通阻抗Rds基本保持不变，所以MOS管采用Rds方式。
电流可以双向流过 MOSFET的D和S ，正是MOSFET这个突出的优点，让同步整流中没有DCM的概念，能量可以从输入传递到输出，也可以从输出返还给输入。能实现能量双向流动。
接下来我们往深入一点来进行讨论，第一点、MOS的D和S既然可以互换，那为什么又定义DS呢？
对于IC内部的MOS管，制造时肯定是完全对称的，定义D和S的目的是为了讨论电流流向和计算的时候方便。
第二点、既然定义D和S，它们到底有何区别呢？
对于功率MOS，有时候会因为特殊的应用，比如耐压或者别的目的，在NMOS的D端做一个轻掺杂区耐压，此时D，S会有不同。
第三点、D和S互换之后，MOS表现出来的特性，跟原来有何不同呢？比如Vth、弥勒效应、寄生电容、导通电阻、击穿电压Vds。
DS互换后，当Vgs=0时，只要Vds》0.7V管子也可以导通，而换之前不能。当Vgs》Vth时，反型层沟道已形成，互换后两者特性相同。
NTC热敏电阻器用于抑制浪涌电流，具有线路简单、使用可靠的特点。开关电源电路、照明电路等在开机瞬间会产生很大的浪涌电流，其峰值可达正常工作电流的10-100倍，高达数百安培。造成电子设备的失效，或整个电路和设备的损坏。利用NTC热敏电阻电流-电压特性和电流-时间特性，将它与负载串联，通电前NTC热敏电阻阻值较大，通电后热敏电阻由于电流的作用产生温升，NTC热敏电阻的阻值降低，在有效地抑制浪涌电流之后，NTC温度传感器本身消耗的功率很低，不会对正常的工作电流造成影响。时恒电子：http://www.shiheng.com.cn
